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氮化鋁陶瓷 半導體用氮化鋁陶瓷加熱器 ALN Ceramic Heating for semiconductor 靜電卡盤 ESC E-chuck
氮化鋁陶瓷加熱器（AlN Ceramic Heating for Semiconductor），使用高導熱AlN，通過電阻加熱元件的均勻燒結提供出色的溫度一致性，并顯著減少金屬污染和雜質。
具有優異的耐熱性，高機械強度，耐磨性和小介電損耗。 AlN襯底的表面非常光滑，孔隙率低。 與氧化鋁基材相比，氮化鋁具有較高的導熱性，其高約7至8倍。 ALN襯底是優異的電子封裝材料。ALN襯底應用廣泛，包括薄膜和厚膜微電子，大功率和高頻電路RF /微波部件和電容器或電阻器等。
TANISS自主研發氮化鋁陶瓷加熱器規格尺寸可根據客戶需要定做。
氮化鋁陶瓷加熱器（AlN Ceramic Heating for Semiconductor），使用高導熱AlN，通過電阻加熱元件的均勻燒結提供出色的溫度一致性，并顯著減少金屬污染和雜質。
具有優異的耐熱性，高機械強度，耐磨性和小介電損耗。 AlN襯底的表面非常光滑，孔隙率低。 與氧化鋁基材相比，氮化鋁具有較高的導熱性，其高約7至8倍。 ALN襯底是優異的電子封裝材料。ALN襯底應用廣泛，包括薄膜和厚膜微電子，大功率和高頻電路RF /微波部件和電容器或電阻器等。
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